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【2h】

Threshold switching via electric field induced crystallization in phase-change memory devices

机译：在相变存储器件中通过电场感应结晶进行阈值切换

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作者
Vazquez Diosdado, Jorge A.; Ashwin, Peter; Kohary, Krisztian; Wright, C. David;
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年度 2013
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原文格式 PDF
正文语种 en
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1. Threshold switching via electric field induced crystallization in phase-change memory devices [J] . Vazquez Diosdado Jorge A. Applied Physics Letters . 2012,第25期

机译：在相变存储器件中通过电场感应结晶进行阈值切换
2. Threshold switching via electric field induced crystallization in phase-change memory devices [J] . Jorge A. Vazquez Diosdado, Peter Ashwin, Krisztian I. Kohary, Applied Physics Letters . 2012,第25期

机译：在相变存储器件中通过电场感应结晶进行阈值切换
3. Comment on “Threshold switching via electric field induced crystallization in phase change memory devices” [Appl. Phys. Lett. 100, 253105 (2012)] [J] . Karpov V.G., Nardone M. Applied Physics Letters . 2013,第23期

机译：评论“相变存储器件中通过电场引起的结晶进行阈值切换”物理来吧100，253105（2012）]
4. A field-induced threshold switching model of phase-change memory [C] . Yiqun Wei, Xinnan Lin IEEE International Nanoelectronics Conference . 2016

机译：相变存储器的场致阈值切换模型
5. E-field induced resistive switch in metal/praseodymium calcium manganite interfaces: A model for future nonvolatile memory devices. [D] . Das, Nilanjan. 2010

机译：金属/ pr钙锰矿界面中的电场感应电阻切换：未来非易失性存储设备的模型。
6. Ultralow-power switching via defect engineering in germanium telluride phase-change memory devices [O] . Pavan Nukala, Chia-Chun Lin, Russell Composto, -1

机译：碲化锗相变存储器件中通过缺陷工程实现的超低功耗开关
7. Response to "comment on 'Threshold switching via electric field induced crystallization in phase change memory devices'" [Appl. Phys. Lett. 102, 236101 (2012)] [O] . Diosdado, JAV, Ashwin, P, Kohary, KI, 2016

机译：对“关于“通过电场在相变存储器件中引起结晶的阈值切换”的评论”的响应。物理来吧102，236101（2012）]

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